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IRLS4030-7PPBF中文资料

IRLS4030-7PPBF图片

IRLS4030-7PPBF外观图

  • 大小:6KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:190A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.9 毫欧 @ 110A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:11490pF @ 50V
  • 功率 - 最大:370W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商设备封装:D2PAK(7-Lead)
  • 包装:管件

IRLS4030-7PPBF供应商

更新时间:2023-01-29 08:32:39
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